特許
J-GLOBAL ID：200903080623221767
超微粒子のガスデポジション方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-269675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-093430
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：
【要約】[構成] ガスデポジション装置1は超微粒子生成室2と膜形成室21からなり、超微粒子形成室2内には加熱用電源18から電力が供給される高周波コイル6が接続されている。超微粒子生成室2の底壁部には搬送ガス導入配管4からなる搬送ガス導入室Eが設けられ、配管4の上部には石英からなる支持板3が取り付けられ、更に支持板3上には円筒5が取り付けられている。このような構成によりコイル5に高周波電源を供給すると鉄塊である蒸発材料Dは浮遊し、且つ浮遊したまま溶融して球状となり蒸発し、超微粒子は搬送ガスにより膜生成室21へ搬送される。[効果] 浮遊した状態で蒸発材料を蒸発させるので、るつぼなどは必要が無く、ヒータやるつぼから加熱によるガスが発生しない。従って、純度の高い超微粒子が生成できる。
請求項（抜粋）：
超微粒子生成室内に置かれた蒸発材料が加熱されることにより、前記蒸発材料から蒸発した超微粒子が搬送ガスと共に搬送管内を通り膜形成室に搬送され、該膜形成室内に配設された基板上に前記超微粒子の膜を作成する超微粒子のガスデポジション方法において、前記加熱はコイルに高周波電流を流すことにより金属塊でなる前記蒸発材料中に誘導電流を流して加熱し、該誘導電流により前記蒸発材料に生じる磁束と、前記高周波電流による磁束との間の磁気反発力により、前記蒸発材料を前記搬送ガス中に浮遊させた状態で加熱、蒸発させ、この蒸発した前記超微粒子を前記搬送ガスと共に前記膜形成室内に搬送させることを特徴とする超微粒子のガスデポジション方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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