特許

J-GLOBAL ID：200903080625454564

半導体ウエハの洗浄方法

発明者： 音成 光哉
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-166171
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017763
出願日： 1995年06月30日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【目的】カセットレス式ウエハ洗浄装置を用いた洗浄処理において、ウエハWの破損が生じるのを防止できる半導体ウエハの洗浄方法に関する。【構成】半導体ウエハWを半導体ウエハ保持手段のチャック22で保持し、このた状態で第1薬液槽12に収容した硫酸過水31中に浸漬する。半導体ウエハWをチャック22で保持した状態で60秒間半導体ウエハWに対して硫酸過水31を作用させる。その後半導体ウエハWをチャック22からウエハガイド32,33へ移し替え、さらに540秒間半導体ウエハWに対して硫酸過水31を作用させる。半導体ウエハwをウエハガイド32,33からチャック22へ移載し、半導体ウエハWを硫酸過水31から取り出す。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの処理槽と、複数枚の半導体ウエハを直接保持する保持手段と、前記保持手段を前記処理槽に搬送する搬送手段と、前記処理槽内に設けられた前記半導体ウエハを固定する固定手段とを有し、前記半導体ウエハを前記固定手段に保持した状態で洗浄処埋する半導体洗浄装置を用いて前記半導体ウエハの洗浄を行う半導体ウエハ洗浄方法であって、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持する工程と、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した状態で前記処理槽に収容した薬液中に浸漬する工程と、前記半導体ウエハを前記保持手段で保持した状態で所定時間前記半導体ウエハに対して前記薬液を作用させる工程と、その後前記半導体ウエハを前記保持手段から前記固定手段へ移載し、さらに所定時間前記半導体ウエハに対して前記薬液を作用させる工程と、前記半導体ウエハを前記固定手段から前記保持手段へ移載し、前記半導体ウエハを前記薬液から取り出す工程とを具備することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 3/04 ,  H01L 21/68

FI (6件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 C ,  H01L 21/304 341 T ,  B08B 3/04 B ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/68 N