特許
J-GLOBAL ID：200903080625855500

強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法

発明者：
田村 博明

田村 博明 について

, 
鶴田 修司

鶴田 修司 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-069095
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250631
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】信頼性の高い強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】本発明の強誘電体メモリ装置は、第1電極32と第2電極36との間に強誘電体層34を有してなる強誘電体キャパシタ30を備え、前記第2電極36に接続される配線44を有し、前記配線44が、(111)面方位に配向を有する窒化チタンからなる第1配線層41と、当該第1配線層41上に形成され、(111)面方位に配向を有する窒化チタンアルミニウムからなる第2配線層42と、を含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間に強誘電体層を有してなる強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、 前記第1電極又は前記第2電極に接続される配線を有し、 前記配線が、(111)面方位に配向を有する窒化チタンからなる第1配線層と、当該第1配線層上に形成され、(111)面方位に配向を有する窒化チタンアルミニウムからなる第2配線層と、を含むことを特徴とする強誘電体メモリ装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (2件)：
H01L27/10 444B ,  H01L21/88 R
Fターム (39件)：
5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033LL07 ,  5F033LL09 ,  5F033MM05 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR04 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033WW04 ,  5F033XX10 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-317983   出願人：富士通株式会社
審査官引用 (7件)
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