特許
J-GLOBAL ID：200903080627164156
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019861
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232128
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】半導体装置に関し、低抵抗でかつ高信頼性の電極配線を提供する。【構成】銅配線表面上に、耐酸化性あるいは耐食性に優れた銅の化合物と銅との組成傾斜層を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体チップ内の回路配線および/または電極の材料が、銅または銅合金である半導体装置において、銅よりも高い耐食性の元素または化合物がその表面に被設され、銅とその元素または化合物との組成比が配線および/または電極の内部に向かって連続的に変化することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28 301
