特許

J-GLOBAL ID：200903080633250013

半田バンプ付き半導体装置及びその製造方法

発明者： 三村 精一 ,  小松 勝次 ,  飯沼 芳夫 ,  市川 新吾 ,  金子 博幸 ,  寺嶋 一彦 ,  宮崎 太一
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055806
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193166
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 半田バンプ付き半導体装置の信頼性の向上。【構成】 銅箔張りの樹脂基板1の上下両面及びスルーホール2内に銅メッキ層3を施し、上下面にドライフイルム4をラミネートした後、ニッケルメッキ層15を形成し、更にフラッシュ金メッキ層16を形成する第1メッキ工程で3層の下地メッキ層を形成する。次に下面側をマスクドライフィルム21で被覆し、上面側にICチップ9を搭載するダイパターン5及びボンディングワイヤ10の接続電極6に金メッキ層18を形成する第2メッキ工程を行った後、前記マスクドライフィルム21を剥離して回路基板22が完成する。パット電極7に形成された金属メッキ層は前記3層の下地メッキ層であり、該下地メッキ層に半田バンプ12を形成して、半田バンプ付き半導体装置を製造する。【効果】 半田バンプは熱履歴に対して金属間化合物を作らず密着力向上。

請求項（抜粋）：

上下面に銅箔張りした樹脂基板の上面側に設けたICチップの接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパット電極とをスルーホールを介して接続するとともに、前記パット電極には半田バンプを設けてなる半田バンプ付き半導体装置において、前記接続電極には金メッキ層を形成するとともに、前記パット電極には半田と親和性の良い金属メッキ層を形成したことを特徴とする半田バンプ付き半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/02