特許
J-GLOBAL ID：200903080633592550
減圧気相成長方法と減圧気相成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-295149
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147246
出願日： 1993年11月25日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】 多数のシリコン基板に均一な膜質と膜厚の成膜を同時に可能とする。【構成】 石英製反応管11は、反応ガス導入管14,15を両端に持ち、さらにガス排気管17,18を両端に持つ。成膜時には、反応ガス導入管14とガス排気管18のみを使用して反応ガスを供給する工程と、反応ガス導入管15とガス排気管17のみを使用して反応ガスを供給する工程とを、交互に数回繰り返して成膜をする。この方法を用いることにより、反応律速性の反応ガスを使用した場合の、反応ガスの上流側と下流側で生じる膜質・膜厚の不均一性を打ち消すことができ、石英製反応管11内に配置されたシリコン基板13全てに、膜質・膜厚の均一性の良好な成膜を行うことができる。
請求項（抜粋）：
反応ガスを、反応管内で、相対する方向から交互に供給することによって成膜を行うことを特徴とする減圧気相成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/316
