特許
J-GLOBAL ID：200903080634241786
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-061202
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256556
出願日： 1997年03月14日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 高速動作が可能な半導体装置を提供すること、加えて、SOIウェハの汚染と結晶欠陥を抑制し、SOI型MOSFETのボディ領域の電位を制御可能にし、及びSOI型MESFETのキャリアの移動度の低下を抑制する半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板(1)上に埋め込み絶縁膜(2)を有し、前記埋め込み絶縁膜(2)上に半導体層(3)を有する半導体装置において、ソース(6-1)とドレイン(6-2)の少なくとも一方よりも厚い膜厚を有し、コンタクト(9-2)により所定の電位が与えられるボディ領域(7)を備えた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に埋め込み絶縁膜を有し、前記埋め込み絶縁膜上に半導体層を有する半導体装置において、前記半導体層内に形成されたソースとドレインの少なくとも一方よりも厚い膜厚を有し、コンタクトにより所定の電位が与えられるボディ領域を具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 626 B
