特許

J-GLOBAL ID：200903080636576289

アクティブマトリックス基板の製造方法

発明者： 加藤 直樹
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095473
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288520
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【構成】ガラス基板3上にゲート電極とする金属層4、SiNx 層5、a-Si層6、SiNx 層8を順に形成し、ビームアニールの方向に対して垂直な方向における金属層4の幅の中に、ビームスポットの中心を位置せしめるようにビームアニールを行い、多結晶化Si層8を形成することを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。【効果】Si半導体層にダメージを与えずに均質な多結晶Si層が得られる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にアモルファス半導体層を形成し、ビームスポットをアモルファス半導体層に照射し、ビームアニールによってアモルファス半導体層の少なくとも一部を多結晶半導体層に形成し、該多結晶半導体層の少なくとも一部をTFTの構成要素とするアクティブマトリックス基板の製造方法において、ガラス基板とアモルファス半導体層との間に直線パターン状の金属層を設け、ビームアニールの際に、アモルファス半導体層の上に照射するビームスポットの略中心を金属層の上面に位置するように行うことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 A ,  H01L 27/12 R