特許

J-GLOBAL ID：200903080640143850

電界放射型電子源の作製方法

発明者： 高橋 淳一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 柏木 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-158881
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354014
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 確実な作製プロセスで高エミッタ密度化を実現でき、かつ、エミッタ材料選択の自由度の高い電界放射型電子源の作製方法を提供する。【解決手段】 例えば、二光束干渉露光法により基板121上のネガ型のフォトレジスト膜126を露光した後、現像してフォトレジスト膜126に形成される穴形状を用いてエミッタ129を作製するようにする。二光束干渉露光法なる確実な作製プロセスにより歩留まりが高い上に、高エミッタ密度化を実現することができる。よって、作製される電界放射型電子源の放射電流の安定性、冗長性、放射電流密度は高くなり、かつ、エミッタ材料選択の自由度も高くなる。

請求項（抜粋）：

複数の光束の干渉により生ずる干渉模様を用いてフォトレジスト膜を露光する複数光束干渉露光法により基板上のネガ型のフォトレジスト膜を露光した後、現像して前記フォトジスト膜に形成される穴形状を用いてエミッタを作製するようにした電界放射型電子源の作製方法。

IPC (4件)：

H01J 9/02 ,  G03F 7/20 501 ,  H01J 1/30 ,  H01L 29/66

FI (4件)：

H01J 9/02 B ,  G03F 7/20 501 ,  H01J 1/30 F ,  H01L 29/66