特許
J-GLOBAL ID：200903080643955384
プラズマCVDによる絶縁膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182126
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029306
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 ホットウォール型プラズマCVD装置を用いて、絶縁膜を形成する際に被処理基板の裏面及び表面周辺を特定の構造とすることにより、各基板間のばらつきを小さくし、面間均一性を向上する。【構成】 被処理基板10または20の裏面に低抵抗領域12または21が設けられ、且つ該低抵抗領域12または21が少なくとも被処理基板の表面周辺に回り込んでいるような構造とする。このような構造を有する被処理基板を平行平板電極に支持してプラズマを発生させて絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
被処理基板を支持するための複数の平板電極を平行に配列し、配列された平板電極を一対の母線に交互に接続し、該一対の母線に高周波電力を供給して該電極間にプラズマを発生させて、前記被処理基板の表面に絶縁膜を形成方法する方法において、前記電極に支持される前記被処理基板の裏面に低抵抗領域が設けられ、且つ該低抵抗領域が少なくとも前記被処理基板の表面周辺に回り込んでいることを特徴とするプラズマCVDによる絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
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