特許

J-GLOBAL ID：200903080646385341

半導体記憶装置及びその制御方法

発明者： 茅野 岳人
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-001615
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203486
出願日： 2002年01月08日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 外部装置側の処理負荷を軽減し、半導体記憶装置内のデータを効率よく検索することができる、半導体記憶装置及びその制御方法を提供する。【解決手段】内部ロジックは、外部装置50から入力されたデータを記憶する複数のレジスタ16を有する。また、制御回路12はメモリセルのアドレスを指定するポインタ17を有し、フラッシュメモリ装置内部のデータの検索に際しメモリセル内のデータが検索條件を満すかどうかを判断する処理をフラッシュメモリ装置内で実行する。

請求項（抜粋）：

メモリと、外部から検索条件を受領する手段と、検索条件を満たすデータを前記メモリ上から検索する手段と、検索したデータの前記メモリ上の格納位置を外部に出力する手段と、を備えることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 15/04 631 ,  G06F 12/00 560 ,  G06F 12/00 597 ,  G11C 16/02

FI (4件)：

G11C 15/04 631 W ,  G06F 12/00 560 G ,  G06F 12/00 597 U ,  G11C 17/00 601 U

Fターム (4件)：

5B025AD00 ,  5B025AD05 ,  5B025AE00 ,  5B060MM18