特許
J-GLOBAL ID:200903080647035590
パターン形成方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (6件):
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-008290
公開番号(公開出願番号):特開2005-203563
出願日: 2004年01月15日
公開日(公表日): 2005年07月28日
要約:
【課題】多層レジストプロセスにおける上層のレジスト膜の倒れを抑制すること。【解決手段】被処理基板上に塗布型絶縁膜を形成する工程と、前記塗布型薄膜を洗浄するために、前記塗布型薄膜上に洗浄液を供給する工程と、前記塗布型薄膜上に感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜に潜像を形成するために、前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射する工程と、前記潜像に基づく感光性膜パターンを形成するために前記感光性膜を現像する工程と、前記感光性膜パターンをマスクとして、前記塗布型絶縁膜を加工する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被処理基板上に塗布型絶縁膜を形成する工程と、
前記塗布型絶縁膜を洗浄するために、前記塗布型絶縁膜上に洗浄液を供給する工程と、
前記塗布型絶縁膜上に感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜に潜像を形成するために、前記感光性膜の所定の位置にエネルギー線を照射する工程と、
前記潜像に基づく感光性膜パターンを形成するために前記感光性膜を現像する工程と、
前記感光性膜パターンをマスクとして、前記塗布型絶縁膜を加工する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件):
H01L21/027
, G03F7/26
, G03F7/38
FI (3件):
H01L21/30 563
, G03F7/26 511
, G03F7/38 501
Fターム (13件):
2H096AA25
, 2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096EA02
, 2H096EA04
, 2H096GA08
, 2H096HA07
, 2H096JA02
, 2H096KA02
, 5F046HA01
, 5F046HA03
, 5F046HA07
, 5F046PA01
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
-
塗布膜形成方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-204196
出願人:東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
-
基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-301973
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
特開平2-074948
-
特開平4-290012
-
特開平4-206625
-
特開平3-289126
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-119649
出願人:新日本製鐵株式会社
-
有機膜形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-058356
出願人:松下電器産業株式会社
全件表示
前のページに戻る