特許
J-GLOBAL ID：200903080647956253
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260819
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103674
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】半導体集積回路装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】フォーカス、露光量、マスクパターン形状および露光装置機差(収差他)等のような転写されるパターンの寸法への影響要因を考慮して、ベストフォーカスシフト等、露光条件の応答のパターン依存性を評価する。続いて、パターン差、装置の機差を含む応答モデルを作成する。続いて、複数の応答モデルを用いた露光条件の推定の可否、性能を評価する。続いて、評価結果が良くない時は、条件出し時に制御を考慮した最適化(パターンの選択等)を行う。評価結果が良い時は、フィードバック制御にデバイス寸法検査データを使用する。続いて、複数の実デバイス寸法の検査から各々の応答モデルを用いた着工時の露光条件を推定する。その後、着工時の露光条件の変動(解析、予測して)を補正する。【選択図】 図31
請求項（抜粋）：
装置に設定される設定入力と称する第1のパラメータ群、前記装置の処理プロセスの処理条件に相当する実効的入力と称する第2パラメータ群および前記装置の処理結果の品質に相当する出力と称する第3のパラメータ群が設定され、前記第2のパラメータ群を変化させた第3のパラメータ群の応答を表現する第1のモデルを用い、前記装置の処理結果から前記第2のパラメータ群の値を推定する第1の評価関数の評価と最適な処理結果を得る前記第2のパラメータ群の値を設定する第2の評価関数の評価とを行い、前記第2の評価関数によって、前記装置の処理条件として前記第2のパラメータ群の値を設定し、この第2のパラメータ群の設定値から実際の装置に設定される第1のパラメータ群の一部または全てを設定する第2のモデルを用いて前記装置の処理条件の最適化処理を行うことと、前記第1の評価関数から第2のパラメータ群の推定ができるように第2のパラメータ群の調整を行う工程を有する第1の方法と、前記第1の方法で設定された条件で、実際の処理を行い、前記第3のパラメータ群の一部または全ての検査を行って求まる第3のパラメータ群の値から、前記第1のモデルを用いて、前記第1の評価関数を用いて、前記第2のパラメータ群の一部または全ての値を推定して、次に推定された第2のパラメータ群から、前記第2のモデルを用いて第1のパラメータ群の一部または全ての値を推定して前記装置の補正を行う第2の方法とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 516Z
, G03F7/20 521
5F046BA03
, 5F046DA02
, 5F046DA14
