特許
J-GLOBAL ID：200903080652705854
気相拡散方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092743
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310449
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】 気相拡散による拡散の大面積化、制御性の向上。【構成】 InGaAsP層、もしくはInGaAs層を気相拡散のコンタクト層とする気相拡散の拡散方法。【効果】 気相拡散により、大面積化、制御性の向上ができた。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、p型クラッド層、p型コンタクト層、p型電極を有し、上記p型コンタクト層の結晶組成がInGaAs、InGaAsPである半導体装置のp型コンタクト層を、多層成長後に開管法での気相拡散によりドーピングする工程により形成することを特徴とするp型コンタクト層の形成方法。
引用特許：
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