特許
J-GLOBAL ID：200903080658493743
プラズマ処理方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316820
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162169
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 試料上の正イオンによる電荷の蓄積(チャージアップ)を中和させることにより解消して異常加工を防止すると共に,負イオンによる効率の良いプラズマ処理を加味することの出来る能率のよいプラズマ処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】 比較的高圧環境に設定された第1のプラズマ発生室内で比較的多くの負イオンを含むプラズマを発生させ,且つ,比較的低圧環境に設定された第2のプラズマ発生室内で比較的多くの正イオンを含むプラズマを発生させ,上記正イオンと負イオンとをプラズマ処理室に導入してプラズマ処理すると共に,上記試料に所定周波数の交番バイアス電圧を付与するようにしたプラズマ処理方法。
請求項（抜粋）：
比較的高圧環境に設定された第1のプラズマ発生室内で比較的多くの負イオンを含むプラズマを発生させ,且つ,比較的低圧環境に設定された第2のプラズマ発生室内で比較的多くの正イオンを含むプラズマを発生させ,上記正イオンと負イオンを試料台を設けた処理室に導入すると共に,上記処理室内の試料台に載置した試料に高周波の交番電圧を付与してプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, C23F 4/00 C
