化合物半導体の製造方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160605
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010677
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【目的】垂直ブリッジマン法により、種付けから育成完了までの間、固液界面を融液側に凸に維持させて、高収率に単結晶を成長する。【構成】容器支持体12または13に支持される容器1に入れたGaAs融液4を下方より順次凝固させてGaAs結晶11を製造する。この凝固のうち最初のショルダ部育成段階の第1容器支持体12の体積を小さく設定し、それ以後の直胴部育成段階の第2容器支持体13の体積を大きく設定する。その体積比は1.5倍以上とする。これにより、種付けから育成完了までの間、容器1内の熱の流れ6は中心に向い、固液界面5を凸にする。

請求項（抜粋）：

容器支持体に支持される容器に入れた化合物半導体融液を下方より順次凝固させて結晶を育成する垂直ブリッジマン法を用いた化合物半導体の製造方法において、上記凝固工程は最初のショルダ部を育成する段階と、それ以後の直胴部を育成する段階からなり、上記ショルダ部を育成した後に上記容器を支持する容器支持体の体積を増加させて上記直胴部を育成することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 , C30B 29/40 501 , H01L 21/208

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