特許
J-GLOBAL ID：200903080683469300
半導体基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-148466
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326467
出願日： 1992年05月15日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 十分な耐圧を有し、製造効率のよい、表面が平坦な半導体基板およびその製造方法を提供する。【構成】 CZウェーハ1の鏡面加工した表面とその上に形成したエピタキシャル成長層2の表面の平坦度をほぼ等しくする。そのために、このエピタキシャル成長層の表面層を鏡面加工する。この鏡面加工によって表面が平坦かされると同時に、CZウェーハ1内の汚染金属原子を除去する事ができる。
請求項（抜粋）：
表面が鏡面加工されたシリコン半導体基板と、前記シリコン半導体基板の前記鏡面加工された表面に形成され、表面が鏡面加工されているシリコン単結晶のエピタキシャル成長層とを備え、前記シリコン半導体基板の鏡面加工されている表面は、前記エピタキシャル成長層の鏡面加工されている表面とほぼ等しい平坦度を有していることを特徴としている半導体基板。
IPC (4件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 27/108
