特許
J-GLOBAL ID：200903080685946431
半導体製造用加熱装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050628
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257809
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 ウエハなどの被処理物を均一に加熱することができる半導体製造用加熱装置、特にコータディベロッパにおけるフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられる加熱装置を提供する。【解決手段】 内部に抵抗発熱体2が埋設され、ウエハ6等の被処理物を保持して加熱するセラミックス製保持体1と、セラミックス製保持体1を支える筒状の支持部材4と、これらを収容するチャンバー5とを備え、支持部材4とセラミックス製保持体1を気密封止せず、又はガス導入-排気の調整により、筒状の支持部材4内とチャンバー5内の雰囲気を実質的に同じに維持する。
請求項（抜粋）：
内部に抵抗発熱体が埋設され、被処理物を表面上に保持して加熱する板状のセラミックス製保持体と、セラミックス製保持体をその被処理物保持表面以外で支える筒状の支持部材と、セラミックス製保持体及び支持部材を収容するチャンバーとを備え、筒状の支持部材内に形成された空間の雰囲気がチャンバー内の雰囲気と実質的に同じに維持されていることを特徴とする半導体製造用加熱装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 N
, H01L 21/30 567
5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031MA24
, 5F031MA30
, 5F031NA04
, 5F031PA11
, 5F046KA04
, 5F046KA05
