特許

J-GLOBAL ID：200903080686626163

ボンドパッドの形成方法

発明者： ロシュ、トーマス エス. ,  アスキエリ、ポール セー.
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-524655
公開番号（公開出願番号）：特表2007-503719
出願日： 2004年07月16日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：

パッシベーション層(68)及びポリイミド層(72)の下層には、ボンドパッド層(62)を覆うように最上層(64)が形成される。パッシベーション層(68)及びポリイミド層(72)の内部には、開口部(70,74)の形成時にボンドパッド層(62)を保護する最上層(64)を露出させるように、開口部(70,74)が形成される。一実施形態において、露出した最上層(64)は、過酸化水素及び水酸化アンモニウム等のアミンを用いて選択的にエッチングされる。この化学系は、ボンドパッド層(62)に攻撃を加えないため、ボンドパッド層の薄化が回避される。従って、ボンドパッドの信頼性が維持される。

請求項（抜粋）：

ボンドパッドの形成方法であって、 半導体基板を提供するステップ、 前記半導体基板上にボンドパッド層(62)を形成するステップ、 前記ボンドパッド層上に保護層(64)を形成するステップ、及び 過酸化水素及びアミンを含む化学エッチングを用いて前記保護層の一部を除去するステップ を備える方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (3件)：

H01L21/60 301P ,  H01L21/92 604R ,  H01L21/88 T

Fターム (21件)：

5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ91 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033WW04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE08 ,  5F044EE21