特許
J-GLOBAL ID:200903080690702281

半導体装置及びその製造方法並びにその検査方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 原 謙三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-008047
公開番号(公開出願番号):特開平10-209210
出願日: 1997年01月20日
公開日(公表日): 1998年08月07日
要約:
【要約】【課題】 バンプ電極形成の歩留り、及びバンプ電極接続の信頼性を向上すると共に、電極パッドピッチを微細化することを可能とする。【解決手段】 半導体基板上に複数の電極パッド3を並設し、該電極パッド3上の各々に2分割したバンプ電極6a・6bを形成する。バンプ電極6a・6bは、上記電極パッド3の並設方向に対して直交する方向に一列に配置する。
請求項(抜粋):
半導体基板上に複数の電極パッドを並設し、該電極パッド各々の上に複数のバンプ電極を形成してなる半導体装置において、上記各電極パッド上の複数のバンプ電極は、上記電極パッドの並設方向に対して直交する方向に一列に配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/60 321
FI (3件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 321 Y
引用特許:
審査官引用 (10件)
  • 特開平1-205543
  • 特開平2-110948
  • 特開平3-141654
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