特許
J-GLOBAL ID：200903080698821417
半導体及び集積回路構成体をテストする方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200819
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121561
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 製造の早い段階において欠陥を検知することを可能とする半導体装置のテスト方法および装置を提供する。【解決手段】 本方法は、半導体構成体の少なくとも一部を荷電させ、荷電電位及び極性(即ち、正又は負の何れかの荷電)を判別するために荷電しながら構成体の表面に対して垂直に電界を印加し、荷電させた部分を包含する該構成体を電子ビームなどの荷電粒子ビームで検査して該構成体に対する電圧コントラストデータを得、且つ該データを解析して該要素の機能性を判別する、上記各ステップを有している。本発明装置は、例えば電子ビーム、フラッドガン又は機械的プローブなどの半導体構成体の少なくとも一部に対して電荷を付与する手段、典型的には該構成体の表面から離隔されている電極であって付与された電荷の電位及び極性を判別するために該構成体の表面に対して垂直に電荷を印加させる電界発生器、例えば電子ビームなどの荷電粒子ビーム装置、例えば二次電子検知器などの検知器を有している。
請求項（抜粋）：
半導体構成体のテスト方法において、(a)半導体構成体の要素を荷電させ、(b)荷電電位及び極性を決定するために荷電しながら前記構成体の表面に垂直に電界を印加させ、(c)前記構成体に対する電圧コントラストデータを得るために荷電粒子ビームで前記荷電させた要素を包含する構成体を検査し、(d)前記データを解析して前記要素の機能性を判別する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 C
, G01R 31/28 L
