Mg-Si系熱電材料及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上野登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091091
公開番号（公開出願番号）：特開2002-285274
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：

【要約】【課題】高い熱電特性を有すると共に、低温度で合成することが可能なMg-Si系熱電材料及びその製造方法を安価に提供すること。【解決手段】 MgとSiの原子比が2:1となるMg粉末及びSi粉末と前記ドーパント元素粉末とを混合する混合工程と、該混合工程で得られた混合粉末をMgの融点Tm(Mg)以上1073K以下の温度範囲内で所定時間加熱保持して溶融MgとSi粒子との反応によりMg2Siを形成させると共に、前記ドーパント元素を溶融Mg中に溶解させ前記Mg2Si結晶構造中のMg若しくはSiの一部と置換・固溶させることよりMg2Si基化合物を生成させる加熱保持工程と、該加熱保持工程を前記所定時間後に未反応のSi粒子が残存する程度で停止させる冷却工程とにより作製される。

請求項（抜粋）：

化学組成式がMg<SB>66.667-x</SB>Si<SB>33.333-y</SB>A<SB></SB><SB>x+y</SB>(Aはドーパント元素であり、Al、P、Ga、As、In、Sb、Ag、Cu、Au、Ni、Fe、Mn、Co、Zn、Pbのいずれかの元素、0.017≦x≦0.192及びy=0、若しくはx=0及び0.017≦y≦0.192)で表されるMg<SB>2</SB>Si基化合物であって、前記ドーパント元素がMg<SB>2</SB>Si結晶構造中のMg若しくはSiの一部と置換・固溶されると共に、前記化合物中には平均粒径Gが0.1μm<G<10μmの範囲内にあるSi粒子が非凝固状態で分散して存在していることを特徴とするMg-Si系熱電材料。

IPC (6件)：

C22C 23/00 , B22F 1/00 , B22F 3/00 , B22F 3/10 , H01L 35/14 , H01L 35/34

FI (6件)：

C22C 23/00 , B22F 1/00 R , B22F 3/00 A , B22F 3/10 G , H01L 35/14 , H01L 35/34

Fターム (9件)：

4K018AA13 , 4K018AB10 , 4K018AC01 , 4K018AD11 , 4K018BA20 , 4K018BC12 , 4K018DA18 , 4K018DA31 , 4K018KA32

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