特許

J-GLOBAL ID：200903080703056139

柔軟な構造を有する半導体装置とその製造方法

発明者： 和田 一実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021421
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223495
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 柔軟な構造を有する半導体装置を実現する。【解決手段】 Si基板1の所定の深さに水素を注入し、基板1上にゲート絶縁膜2とゲート3を形成した後、ソース・ドレイン領域4を形成する。一方、第2のSi基板上にSiO2 層を形成する。Si基板1上のSiO2 層と第2のSi基板上のSiO2 層とを密着させて、熱処理を行うと、水素の注入領域を境として基板1が分割される。この薄層化した基板1を可撓性基板8に貼り付け、フッ酸を用いてSiO2 層を選択的にエッチングして第2のSi基板を取り除く。こうして、厚さ1μm以下の半導体素子を柔軟性に富む基板8上に形成するので、柔軟な構造の半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

可撓性基板上に、微薄な半導体層からなる半導体回路を形成したことを特徴とする柔軟な構造を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 D