特許

J-GLOBAL ID：200903080705218667

平面型磁気素子の製造方法

発明者： 井上 哲夫 ,  佐藤 敏郎 ,  溝口 徹彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-052691
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267775
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 特性の良好な平面型磁気素子を簡単に製造することができる方法を提供する。【構成】 下地基板1,2上に磁性膜3および絶縁膜4を形成する工程と、この絶縁膜4上に形成すべきスパイラルコイル9のライン幅より幅の広い下地導体膜パターン5,6を形成する工程あるいはこの絶縁膜4上に形成すべきスパイラルコイル9とコンタクトホールを介して電気的に接続されるメッキ補助電極12を形成しさらに下地導体膜パターン5,6を形成する工程と、形成すべきスパイラルコイル9のスペースに対応する位置に絶縁膜パターン7を形成する工程と、下地導体膜パターン5,6上にコイル導体をメッキしてスパイラルコイル9を形成する工程と、このスパイラルコイル9上に絶縁膜10および磁性膜11を形成する工程とを有する。

請求項（抜粋）：

下地基板上に磁性膜および絶縁膜を形成する工程と、形成すべき平面コイルのライン幅より幅の広い下地導体膜パターンを形成する工程と、形成すべき平面コイルのスペースに対応する位置に絶縁膜パターンを形成する工程と、前記下地導体膜パターン上にコイル導体をメッキして平面コイルを形成する工程と、該平面コイル上に絶縁膜および磁性膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする平面型磁気素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01F 41/04 ,  H01F 17/00