特許
J-GLOBAL ID：200903080705377048
光起電力素子及びその製造方法、並びにそれを用いた発電システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196051
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021491
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 光励起キャリアーの再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子及びその製造方法並びにそれを用いた発電システムを提供する。【構成】 p層104、光導電層(複数のi層からなる層)及びn層102を積層した光起電力素子に於いて、光導電層は、p層側に位置するμWPCVD法堆積i層103と、n層側に位置するRFPCVD法により堆積されたi層109を含む積層構造であって、μWPCVD法堆積i層は、Si原子とGe原子を含有し、バンドギャップの極小値の位置がi層の中央よりp層方向に片寄って形成されたi層であり、且つRFPCVD法堆積i層は、Si原子を含み、層厚が30nm以下であり、p層とn層の内少なくとも一方が周期律表第III族又は第V族元素を主構成元素とする層と価電子制御剤を含みSi原子を主構成元素とする層との積層構造であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン系非単結晶半導体材料からなるp型層、光導電層(複数のi型層からなる層)及びn型層を少なくとも積層して構成される光起電力素子に於いて、前記光導電層は、前記p型層側に位置するマイクロ波プラズマCVD法により堆積されたi型層と、前記n型層側に位置するRFプラズマCVD法により堆積されたi型層とを少なくとも含む積層構造であって、前記マイクロ波プラズマCVD法で堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、バンドギャップの極小値の位置が該i型層の中央よりp型層方向に片寄って形成されたi型層であり、且つ前記RFプラズマCVD法により堆積されたi型層は、少なくともシリコン原子を含み、層厚が30nm以下であり、且つ前記p型層とn型層の内少なくとも一方が周期律表第III族元素または第V族元素を主構成元素とする層と価電子制御剤を含みシリコン原子を主構成元素とする層との積層構造であることを特徴とする光起電力素子。
引用特許：
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