特許
J-GLOBAL ID：200903080714124721
シールNiと光沢Niを同じめっき槽で施すめっき方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-085115
公開番号（公開出願番号）：特開平5-230699
出願日： 1992年02月21日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：
【要約】【目 的】 本発明は、光沢シール槽3のみで、シールNiめっきと光沢Niめっきを施す製造方法に関するもので、設備・めっき条件管理の工数低減,シール・光沢間電位差管理の省力,及び設備設置スペースの縮小を計り、シールNiめっきと光沢Niめっきを施す製造方法にある。【構 成】 光沢シール槽3で設定時間の内、前半と後半の電流密度を操作し、電位の異なる二つの層を作り上げる。ここで前半を高電流密度にすると、電位は低くなり従来の光沢Niとなる。又後半を低電流密度にすると、電位は高くなり従来のシールNiとなる。初期設定時に高条件電流密度を設定する事で、光沢シール槽3の一層で、シールNiめっきと光沢Niめっきを製造する。
請求項（抜粋）：
(a) シール槽6と光沢槽5を廃止し、光沢シール槽3を設置する。(b) めっき液は、光沢Niめっき液に分散材を添加したものを使用する。(c) 光沢シール槽3では設定時間の内、一定時間を高電流密度でめっきを施し、残り時間を低電流密度でめっきを施す。以上の如き、同一層で施すシールNiめっきと光沢Niめっきの製造方法。
IPC (5件)：
C25D 17/00
, C25D 5/14
, C25D 15/02
, C25D 19/00
, C25D 21/12
