特許

J-GLOBAL ID：200903080714563180

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 柏木 章秀 ,  徳永 和彦 ,  鈴木 利彦 ,  木村 秀樹 ,  片岡 豊隆 ,  鈴木 篤 ,  田中 伸史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323602
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186255
出願日： 1997年11月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成する際のシリコン層の表面に荒れ(凹凸)が発生することを防止でき、且つ、シリコン層の表面にドライ酸化膜を形成することなく、特性の優れたシリコン酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜の形成を開始し、湿式ガスを用いた酸化法によって、所望の厚さになるまでシリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜の形成を開始し、湿式ガスを用いた酸化法によって、所望の厚さになるまでシリコン酸化膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E