特許
J-GLOBAL ID：200903080716129151
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-071310
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234880
出願日： 1991年04月04日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 イオン注入後のレジスト膜の除去方法に関し,レジスト膜を完全に除去する方法の提供を目的とする。【構成】 半導体基板(1) 上に被着されたレジスト膜(2) をマスクにして,該基板にイオン注入する工程と,次いで,酸素と四フッ化炭素を含むガスのプラズマ中で該レジスト膜(2) の厚さ方向の一部をアッシング除去する工程と,次いで,該基板を硫酸と過酸化水素水の混液に浸漬して該レジスト膜(2) の表面に付着した残留有機物を除去する工程と,次いで該基板をフッ化水素酸に浸漬して該レジスト膜(2) の表面に形成された変質層を除去する工程と,次いで該基板を硫酸と過酸化水素水の混液に浸漬して残りのレジスト膜(2) を除去する工程とを有するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板(1) 上に被着されたレジスト膜(2) をマスクにして,該基板にイオン注入する工程と,次いで,酸素含むガスのプラズマ中で該レジスト膜(2) の厚さ方向の一部をアッシング除去する工程と,次いで,該基板を硫酸と過酸化水素水の混液に浸漬して該レジスト膜(2) の表面に付着した残留有機物を除去する工程と,次いで該基板をフッ化水素酸に浸漬して該レジスト膜(2) の表面に形成された変質層を除去する工程と,次いで該基板を硫酸と過酸化水素水の混液に浸漬して残りのレジスト膜(2) を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/302
