特許
J-GLOBAL ID：200903080719442667
非晶質カーボン膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250204
公開番号（公開出願番号）：特開平10-096075
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、耐摩耗性に優れた非晶質カーボン膜の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の非晶質カーボン膜の形成方法は、真空チャンバ内に配置されたカーボン材ターゲットに対してスパッタガスイオンを衝突させてカーボン原子を叩き出し、該チャンバ内に配置された基板に非晶質カーボン膜を堆積させるスパッタリング方式の非晶質カーボン膜形成方法において、スパッタリング法として電子サイクロトロン共鳴プラズマ法を用い、スパッタガスにアルゴンまたはアルゴンと水素の混合ガスを用いてスパッタガス中の水素濃度を1%以下とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
真空チャンバ内に配置されたカーボン材ターゲットに対してスパッタガスイオンを衝突させてカーボン原子を叩き出し、該チャンバ内に配置された基板に非晶質カーボン膜を堆積させるスパッタリング方式の非晶質カーボン膜形成方法において、スパッタリング法として電子サイクロトロン共鳴プラズマ法を用い、スパッタガスにアルゴンまたはアルゴンと水素の混合ガスを用いてスパッタガス中の水素濃度を1%以下とすることを特徴とする非晶質カーボン膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/06 F
, H01L 21/203 S
