特許

J-GLOBAL ID：200903080719591670

太陽電池の製造方法

発明者： 森川 浩昭 ,  隈部 久雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-326559
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183552
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】 発電層に充分な水素パッシベーションを施すことができ、高エネルギー変換効率の薄型多結晶Si太陽電池を得ることを目的とする。【構成】 半導体層の厚さが150μm以下の薄型多結晶Si太陽電池を形成するうえで、Si支持基板8上にpn接合(1,2),反射防止膜4,表面電極5をそれぞれ形成した後、上記Si支持基板8を裏面側から所定部分エッチング除去して上記活性層の一部を露呈し、ここに活性層の裏面側より0.5〜5KeVの,低加速度の水素注入により水素パッシベーションを行い、その後裏面側の電極6を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶を発電層とする太陽電池の製造方法において、下地基板上に発電層となる半導体結晶の薄膜を形成する工程と、上記下地基板の所定部分を選択的にエッチング除去して上記半導体結晶の薄膜を露呈させる工程と、上記露呈した半導体結晶の薄膜に、その露呈面より、該結晶の未結合手部を結合手部とするためのパッシベーション処理を施す工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。