特許

J-GLOBAL ID：200903080722961349

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 山縣 秀夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118639
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306844
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 不純物を含有してなるSi基板上にエピタキシャル層を形成する際の、上記不純物のエピタキシャル層へのオートドーピングを抑制する。【解決手段】 まず不純物としてホウ素を含有してなるSi基板11上に不純物を含まないSi層12を形成し、次いでSi層12上にSi1-x Gex の混晶層13を形成する。続いてこの混晶層13上に不純物を含まないSi層14を形成し、その後、Si層14上に、Si基板11におけるホウ素の濃度よりも低い濃度の不純物を含有してなるエピタキシャル層15を形成して半導体装置1を製造する。

請求項（抜粋）：

不純物を含有してなるシリコン基板上に、シリコンとゲルマニウムとの混晶層を形成する工程と、該混晶層上に、前記シリコン基板における前記不純物の濃度よりも低い濃度の不純物を含有してなるエピタキシャル層を形成する工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。