特許
J-GLOBAL ID：200903080729990174
半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ用アイレット、及び半導体パッケージ用アイレットの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-315493
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135745
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：
【要約】【課題】 銅層を含むクラッド材から成るアイレットにレーザダイオード用のリードやフォトダイオード用のリードを通すためのリード用貫通孔を形成する際に、銅層にダレが形成されないような半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ用アイレット、及びそれらの製造方法を提供すること。【解決手段】 リード用貫通孔201dは、銅層201b(第1の金属材料層)から第2の鉄層201c(第2の金属材料層)に向かって径が小さくなるようにして該銅層201bに形成された台錐形の部分と、この台錐形の部分に連通するようにして第2の鉄層201cに形成された円筒形の部分とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
積層された第1の金属材料層と第2の金属材料層とを含むクラッド材から成り、該第1の金属材料層と第2の金属材料層とを貫通する一以上のリード用貫通孔を備えるアイレットにリードを絶縁体を介して取り付けた半導体パッケージ用ステムにおいて、前記リード用貫通孔は、前記第1の金属材料層から前記第2の金属材料層に向かって径が小さくなるようにして該第1の金属材料層に形成された台錐形の部分と、前記台錐形の部分に連通するようにして前記第2金属材料層に形成された円筒形の部分とを有することを特徴とする半導体パッケージ用ステム。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/022
, H01L 23/12 S
5F073EA29
, 5F073FA05
, 5F073FA14
, 5F073FA15
