特許

J-GLOBAL ID：200903080733053339

光起電力素子

発明者： 菱川 善博 ,  津毛 定司 ,  磯村 雅夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066595
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283739
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 非晶質シリコンゲルマニウム層の欠陥密度を小さくし、光起電力素子の変換効率を向上させる。【構成】 光活性層3iの非晶質シリコンゲルマニウム層中の微結晶シリコンの含有量が全シリコン量の5〜45%であり、ゲルマニウム量が全シリコン量に対し5〜30%であり、かつ酸素が全シリコン量に対し5〜20%であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

微結晶シリコンを含有する非晶質シリコンゲルマニウム層を光活性層として備える光起電力素子であって、前記微結晶シリコンの量が前記非晶質シリコンゲルマニウム層中の全シリコン量の5〜45%であり、ゲルマニウム量が全シリコン量に対し5〜30%であり、かつ前記非晶質シリコンゲルマニウム層に全シリコン量に対し5〜20%の酸素が含有されていることを特徴とする、光起電力素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-082276