特許
J-GLOBAL ID：200903080733793278
炭化珪素基板の欠陥除去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275131
公開番号（公開出願番号）：特開平10-120496
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：
【要約】【課題】 エピタキシャル層を有するSiC基板において、エピタキシャル層内の欠陥を除去する。【解決手段】 SiCの半導体基板1上にエピタキシャル層2、3が形成されたSiC基板において、(a)の工程でp型エピタキシャル層3の表面にレジスト13を形成し、(b)の工程で半導体基板1の裏面から紫外線を照射する。SiC基板は紫外線に対して透光性であるため、レジスト13のうち欠陥12が存在しない部分のみが露光される。そして、(c)の工程でレジスト13を現像し、(d)の工程でレジスト13をマスクとし欠陥12が存在する部分のエピタキシャル層2、3をエッチングする。この後、(e)の工程でレジスト13を除去し、エピタキシャル層2、3の欠陥除去穴に絶縁物14を埋設する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素の半導体基板(1)上にエピタキシャル層(2、3)が形成された炭化珪素基板(100)において、前記エピタキシャル層の上にレジスト(13)を形成し、前記半導体基板の裏面から光照射して前記レジストの露光を行い、現像を行った後、前記レジストをマスクとして前記エピタキシャル層をエッチングし、そのエッチング部分に絶縁物(14)を埋設することを特徴とする炭化珪素基板の欠陥除去方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B 29/36 A
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 653 C
