特許
J-GLOBAL ID：200903080733888031
薄膜集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305349
公開番号（公開出願番号）：特開平8-242002
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：
【要約】【課題】 薄膜集積回路を構成するp-ch.TFTとn-ch.TFTとの性能を独立して制御する。【解決手段】 p-ch.TFTのチャネル半導体薄膜と、n-ch.TFTチャネル半導体薄膜との結晶粒径、非結晶性成分量を独立して制御する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にnチャネル型薄膜トランジスタとpチャネル型薄膜トランジスタとを有する薄膜集積回路において、前記ガラス基板上に堆積された半導体薄膜のうち前記nチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる第1の半導体薄膜と前記pチャネル型薄膜トランジスタのチャネルとなる第2の半導体薄膜とは共に非単結晶薄膜であり、かつ第1及び第2のそれぞれの半導体薄膜を構成する結晶粒の平均径、及び非結晶成分量がたがいに異なることを特徴とする薄膜集積回路。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 G
