特許

J-GLOBAL ID：200903080739670208

深いトレンチキャパシタ

発明者： アレキサンダー ミヒャエリス ,  ラジフ ラナド ,  ベルトラント フリートナー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159866
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049147
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 トレンチキャパシタから得ることができる容量を増大するように、過去に行なわれたものよりも熱予算を効率的に利用する。【解決手段】 DRAMの蓄積キャパシタの形成に利用されるシリコンウエーハ18における垂直トレンチは、多重ウエスト26,30を有する輪郭を有するように、反応性イオンエッチングによってエッチングされる。この輪郭は、エッチングの間にシリコンウエーハの温度を変化するために、反応性イオンエッチングの間にシリコンウエーハを支持する基礎部材における冷媒の流速を変化することによって得られる。その代わりに多重ウエストは、エッチングチャンバ内における種々のガスの比又はチャンバ内における全ガス圧力のいずれかの変化によって達成される。

請求項（抜粋）：

エッチングチャンバ内にシリコンウエーハを支持し、このエッチングチャンバを通して、エッチングに適した反応性イオンを提供する少なくとも1つの種及びエッチングされたトレンチ壁における堆積物の形成を増強する少なくとも1つの種を含むガス混合物を流し、ウエーハの温度、2つの種の比及びチャンバ内におけるガス圧力のうちの少なくとも1つを変えることによってエッチングの進行の際にトレンチの直径を変更するステップを含み、それにより多重のウエストを有する垂直トレンチをウエーハ中に生じさせることを特徴とする、シリコンウエーハに垂直トレンチを反応性イオンエッチングする方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3件)：

H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 625 Z