特許
J-GLOBAL ID：200903080740016554
半導体装置の製造方法および半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103055
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311709
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】アンダーフィル樹脂と半導体素子との間に気泡が混入することにより発生するボイドの影響を低減することができると共に、アンダーフィル樹脂の発泡に起因するボイドの発生も抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板21の半導体装置11に対向する部分にアンダーフィル樹脂36を供給する工程と、アンダーフィル樹脂36の表面に半導体素子11を密着させる工程と、半導体素子11の電極12と基板21の接続パッド22とを電気的に接続する工程と、アンダーフィル樹脂36の表面に半導体素子11を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、アンダーフィル樹脂36を硬化させる工程とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電極を備えた半導体素子を、前記電極に対応する接続パッドを備えた基板にフリップチップ実装する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の、前記半導体素子に対向する部分にアンダーフィル樹脂を供給する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面に前記半導体素子を密着させる工程と、
前記半導体素子の電極と、前記基板の接続パッドとを電気的に接続する工程と、
前記アンダーフィル樹脂の表面に半導体素子を密着させる工程における雰囲気より高圧、かつ、大気圧より高圧の高圧雰囲気中において、前記アンダーフィル樹脂を硬化させる工程と、を備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F044KK01
, 5F044LL11
, 5F044PP00
