特許

J-GLOBAL ID：200903080750136965

太陽電池の製造方法

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  池田 光佑 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260129
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115216
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 窓層となるカドミウムを含む半導体薄膜上に堆積する光吸収層となるカルコパイライト構造半導体薄膜の結晶性を向上させ、高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池を提供する。【構成】 透光性基板上に形成したカドミウムを含む半導体薄膜を塩化カドミウムを含む雰囲気中で熱処理した後、前記半導体膜上にカルコパイライト構造半導体薄膜を堆積し、さらに電極膜を形成する。カドミウムを含む半導体薄膜の結晶粒径の増大により光吸収層の結晶性が向上する。

請求項（抜粋）：

透光性基板上にカドミウムを含む半導体薄膜を堆積する工程、前記半導体薄膜を塩化カドミウムを含む雰囲気中で熱処理する工程、および前記熱処理したカドミウムを含む半導体薄膜上にI族、III族およびVI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜を堆積する工程を含む太陽電池の製造方法。