特許

J-GLOBAL ID：200903080750281450

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 石宇 武彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138447
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320057
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】 ガラス基板表面の微小な穴や傷を原因とする信号配線の断線あるいはアンダーコート層の膜厚不足を防止し、低価格化を損なう事無く安定した駆動特性を有する薄膜トランジスタを高い製造歩留まりで得る。【解決手段】 ガラス基板16上に、リン(P)もしくはホウ素(B)を含み熱流動性を有するシリコン酸化膜(SiO2)を成膜し、熱処理によりシリコン酸化膜(SiO2)を流動化してガラス基板16表面の穴や傷16aを埋める平坦化層17を形成する。この後シリコン窒化膜(SiNx)膜18a、シリコン酸化膜(SiO2)18bを均一な膜厚で積層することにより、ガラス基板16内の不純物の拡散を確実にブロックしp-SiTFT11a、11bの特性の劣化を防止し、又信号線28a、28b、信号配線30a、30b等を断線する事無く微細にパターン形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、熱処理により流動化する流動化樹脂からなり前記絶縁性基板表面を平坦化する平坦化層と、この平坦化層の上方に成膜され前記絶縁性基板内の不純物拡散を防止する被覆層と、この被覆層上に形成され、チャネル領域を挟みソース領域及びドレイン領域が形成される多結晶シリコンを主成分とする半導体層とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

G02F 1/1333 500 ,  H01L 29/78 626 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (43件)：

2H090JA06 ,  2H090JB02 ,  2H090JC07 ,  2H090JD10 ,  2H090JD14 ,  2H090LA04 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092KB26 ,  2H092MA30 ,  2H092NA11 ,  2H092NA19 ,  2H092PA08 ,  5F110AA18 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE06 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19