特許

J-GLOBAL ID：200903080750694402

半導体レーザ素子

発明者： 小林 正男
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-127764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327113
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】 リッジ部をドライエッチング法で形成し、電流ブロック領域を陽極酸化膜で形成する屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 複数の化合物半導体層からなる積層体上に、リッジ部20を設け、リッジ部20の上部はオーミック電極24と直接接触する部分を有している。この直接接触する部分を除いたp-AlGaAsクラッド層16の上部表面に陽極酸化膜32を具えている。この酸化膜が電流ブッロク領域を形成している。このようにして構成された半導体レーザ素子は、横モード制御の安定性が良く、屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザ素子として、高出力特性の素子を提供することができる。

請求項（抜粋）：

複数の化合物半導体層の積層体と、上側電極と下側電極とを具える屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザ素子において、リッジ部と、該リッジ部と前記上側電極とが直接接触する当該リッジ部の領域以外の、前記上側電極側の表面領域部分に形成した絶縁膜とを具えることを特徴とする半導体レーザ素子。