特許
J-GLOBAL ID:200903080755781052

磁界増加型プラズマ処理チャンバ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-275864
公開番号(公開出願番号):特開平5-259120
出願日: 1992年10月14日
公開日(公表日): 1993年10月08日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 エレクトロン損失及び非均一性を減少すること、基板領域における磁場を減少する。自動またはロボット的なチャンバへのアクセスを改善し、スル-プットを増加する。【構成】 処理チャンバ102内のプラズマから磁力線が取り除かれるように磁気的に方向付けられた大きな永久マグネット130、132と、上記チャンバ102の壁150の周囲に一連の磁気カスプを形成してプラズマエレクトロンが上記チャンバ102の壁150に衝突することを禁止するように上記チャンバ102の周囲に取り付けられた2以上のマグネットリング120、122、124、126を有する。基板挿入口128は上記マグネットリング120、126の間に備え付けることができ、最も効率良く、上記基板を自動的に出し入れすることができる。
請求項(抜粋):
基板をエッチングする真空チャンバを備えたプラズマリアクタであって、前記真空チャンバの内壁付近および前記基板処理領域の周囲にリング状マルチカスプ磁界を生成するマグネット手段を備えるプラズマリアクタ。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭63-172429
  • 特開平3-020027
  • 特開平4-136177

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