特許

J-GLOBAL ID：200903080763759279

エッチング方法とその装置およびそれを用いて作製した半導体装置

発明者： ▲高▼澤 浩幸 ,  ▲高▼谷 信一郎 ,  山本 清二 ,  持地 広造
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219037
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083779
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】半導体結晶の劣化が少なく、特性ならびに性能に優れた信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく製造する半導体のエッチング方法と装置を提供する。【構成】反応性ガスのもとで、被エッチング材料の表面に光を照射してエッチングする方法において、被エッチング材料のしきい表面温度を制御して半導体結晶の劣化を抑制しながら、最大のエッチング速度でエッチングを行い、組成の異なる複数の半導体層を積層した半導体積層膜のうちの所望の半導体層のみを選択的にエッチングする選択エッチング条件と、半導体積層膜のうちの所望の複数の半導体層をほぼ等速度でエッチングする等速エッチング条件との切り換えを行い、かつエッチング条件の切り換えは、エッチング操作を中断することなく連続的に行うエッチング方法と装置、および作製した半導体装置。

請求項（抜粋）：

反応性ガス雰囲気のもとで、半導体からなる被エッチング材料の表面に光を照射してエッチングする方法において、上記被エッチング材料の表面温度を制御して半導体表面近傍の半導体結晶の劣化を抑制しながら、最大のエッチング速度で半導体のエッチングを行うことを特徴とするエッチング方法。

IPC (8件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (6件)：

H01L 21/302 Z ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H