特許
J-GLOBAL ID：200903080764063308
弾性表面波デバイスとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-320314
公開番号（公開出願番号）：特開平6-303073
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 弾性表面波デバイスとその製造方法に関し、弾性表面波伝播速度,電気機械結合係数を制御して高精度化する。【構成】 圧電体基板1の表面または所定基板に形成された圧電薄膜の表面に、弾性表面波伝播速度,電気機械結合係数を制御するイオン注入を行ない、さらに弾性表面波伝播速度,電気機械結合係数を制御する熱処理を施し、入出力トランスジューサがイオン注入熱処理層12の上に形成されてなる。さらに、イオン注入条件としてイオン種Arイオン, 注入時加速エネルギ150 〜250keV, 注入量5〜7×1013とする、イオン注入後の熱処理温度を 400°C〜圧電基板1又は圧電膜の耐熱温度とする、イオン注入後の熱処理の昇温速度を毎分3°C以下,処理温度保持時間30〜60分, 降温速度を毎分2°C以下とする、イオン注入時の焦電対策として基板の裏面に金属膜を形成する又は金属板に載せて行う。
請求項（抜粋）：
弾性表面波伝播速度および電気機械結合係数を制御するイオン注入と、そのイオン注入層の弾性表面波伝播速度および電気機械結合係数を制御する熱処理とを施した、圧電体基板(1) の表面または所定基板に形成された圧電薄膜の表面に、弾性表面波入出力用電極が形成されてなることを特徴とする弾性表面波デバイス。
IPC (2件)：
引用特許：
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