特許
J-GLOBAL ID：200903080769034756
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-049583
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233417
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップを回路基板上に熱圧着により搭載してなる半導体装置において、熱圧着を比較的小さい圧力で行うことができるようにする。【解決手段】 半導体チップ11の金バンプ16は電解メッキにより形成されている。サブ回路基板1の金バンプ31は金ワイヤにより形成され、その突出面には半導体チップ11の金バンプ16のサイズよりも小さめの凹部32が形成されている。そして、金バンプ16が金バンプ31の凹部32内に圧入されている。この場合、硬度が比較的高い金メッキからなる金バンプ16によって硬度が比較的低い金ワイヤからなる金バンプ31の凹部32を比較的小さい圧力で押し広げることができる。したがって、熱圧着を比較的小さい圧力で行うことができる。なお、金バンプ31の凹部32を金バンプ16のサイズよりも大きくし、その間に導電性ペースト等からなる導電性接合剤を介在させるようにしてもよい。
請求項（抜粋）：
接続パッド上に金ワイヤにより金バンプが形成された基板と、接続パッド上に金メッキにより金バンプが形成された半導体チップとを具備し、前記基板の金バンプの突出面に前記半導体チップの金バンプのサイズよりも小さめの凹部が形成され、該凹部内に前記半導体チップの金バンプが圧入されていることにより、前記両金バンプが相互に接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, C25D 7/12
H01L 21/60 311 S
, C25D 7/12
