特許
J-GLOBAL ID：200903080776259445
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-276675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104213
出願日： 1992年09月21日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 放電プラズマガスによるドライエッチングで絶縁膜に開口を設ける時に生じるシリコン半導体基板の表面の汚染領域を除去する。【構成】 シリコン半導体基板1上のシリコン酸化膜2及びPGS膜3を炭素を含むガスの放電プラズマによって選択的ににエッチングして開口を形成する。この開口に露出した半導体基板の表面をSF6 を含むガスの放電プラズマによってドライエッチングして汚染領域を除去する。
請求項（抜粋）：
シリコン又はシリコンを主成分とする半導体基板の表面に対して弗素は含むが炭素は含まない化合物のガスの放電プラズマによるドライエッチングを施すことにより、前記半導体基板の表面の汚染領域を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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