特許
J-GLOBAL ID：200903080785945700

チップ状電子部品及び擬似ウェーハ、これらの製造方法、並びに電子部品の実装構造

発明者：
大島 伸雄

大島 伸雄 について

, 
浅見 博

浅見 博 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-138135
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342861
出願日： 2003年05月16日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】容易にかつ信頼性良く低コストに製造できる、チップ状電子部品及び擬似ウェーハ、これらの製造方法、並びに電子部品の実装構造を提供すること。【解決手段】半導体ウェーハ1を複数のチップ領域に区画し、隣接するチップ領域間において、半導体ウェーハ1を表面側から部分的に除去して溝部14を形成し、この溝部14内に絶縁物質を充填して絶縁層16を形成し、チップ領域上から絶縁層16上にかけて配線19を形成し、半導体ウェーハ1を裏面側から部分的に研削除去して、絶縁層16を露出させ、この絶縁層16に貫通孔23を形成し、この貫通孔23にめっき法により導電層(めっき層26、25)を形成して表面側の配線19と裏面側の端子とを電気的に接続し、更にチップ領域間をダイシングして個々のチップ状電子部品(例えば、インターポーザ37、半導体チップ部品40、41)を得る。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基体を複数のチップ領域に区画する工程と、 隣接する前記チップ領域間において、前記基体を一方の面側から部分的に除去して凹部を形成する工程と、 前記凹部内に絶縁物質を充填して絶縁物質層を形成する工程と、 前記チップ領域上から前記絶縁物質層上にかけて配線を形成する工程と、 前記基体を前記一方の面とは反対の他方の面側から部分的に除去して、前記絶縁物質層を露出させる工程と を有する、チップ状電子部品の製造方法。
IPC (8件)：
H01L23/12 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18
FI (5件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/56 R ,  H01L21/60 311S ,  H01L25/08 Z ,  H01L25/14 Z
Fターム (7件)：
5F044LL01 ,  5F044RR03 ,  5F044RR06 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM