特許
J-GLOBAL ID：200903080788619110
半導体素子収納用パッケージ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-224101
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037200
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：
【要約】【課題】半導体素子が作動時に発する熱を外部に効率よく放散することができず、半導体素子に熱破壊が発生する。【解決手段】上面に半導体素子4が載置される載置部1aを有する基体1と、該基体1の上面に取着され、前記載置部1aを囲繞する枠状の絶縁体2と、該枠状絶縁体2上に取着され、枠状絶縁体2の内側を気密に封止する蓋体3とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁体2は熱膨張係数が6.0ppm/°C乃至8.0ppm/°C(室温〜800°C)のセラミックスからなり成り、かつ前記基体1はタングステンと銅とから成り、タングステンが75乃至90重量%、銅が10乃至25重量%から成る中間層1cの上下両面にタングステンが30乃至60重量%、銅が40乃至70重量%から成る上下層1b、1dを配した3層構造を有している。
請求項（抜粋）：
上面に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の上面に取着され、前記載置部を囲繞する枠状の絶縁体と、該枠状絶縁体上に取着され、枠状絶縁体の内側を気密に封止する蓋体とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記枠状絶縁体は線熱膨張係数が6.0ppm/°C乃至8.0ppm/°C(室温〜800°C)のセラミックスから成り、かつ前記基体はタングステンと銅とから成り、タングステンが75乃至90重量%、銅が10乃至25重量%から成る中間層の上下両面にタングステンが30乃至60重量%、銅が40乃至70重量%から成る上下層を配した3層構造を有していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/08 C
, H01L 23/12 P
, H01L 23/12 J
