特許
J-GLOBAL ID：200903080789755794
ホール素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-244343
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087798
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電源の極性によるホール電圧のアンバランスを抑え、電圧リニアリティを向上させて高精度のセンシングを行うことを目的とする。【解決手段】 電流端子4a,4bとセンス端子5a,5bで取り囲まれた活性層2表面部に、活性層2とは逆の導電型で電流路を制限するための拡散層6a,6bを、電流端子4a,4b間の中心を通る直線とセンス端子5a,5b間の中心を通る直線の交点に対し点対称の位置に2個設けたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、該半導体基板とは逆の導電型からなる半導体活性層を設け、該半導体活性層に対向した2以上の電流端子と該電流端子の対向方向と直交する方向に対向した2以上のセンス端子が配置されており、前記電流端子間の主たる電流は前記活性層表面に平行に流れ、磁場は前記活性層表面に対して垂直方向に印加されるホール素子において、前記電流端子と前記センス端子で取り囲まれた前記活性層表面部に、該活性層とは逆の導電型で前記電流の電流路を制限するための拡散層を、前記2以上の電流端子間の中心を通る直線と前記2以上のセンス端子間の中心を通る直線の交点に対し点対称の位置に2個設けてなることを特徴とするホール素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 43/06 S
, G01R 33/06 H
