特許

J-GLOBAL ID：200903080789902100

Gaドープシリコン単結晶の製造方法およびGaドープシリコン単結晶、並びにこれから作製されたシリコン単結晶太陽電池

発明者： 津田 信博
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社 ,  信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-231535
公開番号（公開出願番号）：特開2002-047095
出願日： 2000年07月31日
公開日（公表日）： 2002年02月12日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池用の材料として有用なGaドープシリコン単結晶において重金属起因のOSF発生を抑制可能なGaドープシリコン単結晶の製造方法を提供し、光劣化を生じることがなく光電変換効率の高い太陽電池用Gaドープシリコン単結晶、およびこれを用いたシリコン単結晶太陽電池を提供する。【解決手段】 CZ法によりGa(ガリウム)がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、Gaよりも少ない量のAl(アルミニウム)を添加して単結晶の成長を行うGaドープシリコン単結晶の製造方法、およびCZ法で製造したドープ剤としてGaを添加したシリコン単結晶であって、結晶中に含まれるGaの濃度が5×1017atoms/cm3〜3×1015atoms/cm3であり、Gaよりも低濃度のAlが添加されているGaドープシリコン単結晶。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によりGa(ガリウム)がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、Gaよりも少ない量のAl(アルミニウム)を添加して単結晶の成長を行うことを特徴とするGaドープシリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/208 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/04 ,  H01L 21/208 P ,  H01L 31/04 X

Fターム (23件)：

4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  4G077HA20 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB09 ,  5F051AA02 ,  5F051AA16 ,  5F051CB03 ,  5F051CB18 ,  5F053AA13 ,  5F053AA14 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053KK10 ,  5F053LL05 ,  5F053RR03