特許
J-GLOBAL ID:200903080797455830

光学活性エリスロ-3-アミノ-1,2-エポキシ体の製造法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-312338
公開番号(公開出願番号):特開平7-215955
出願日: 1994年11月24日
公開日(公表日): 1995年08月15日
要約:
【要約】【目的】光学活性エリスロ3-アミノ-1,2-エポキシ体を選択的に収率良く製造する。【構成】光学活性スレオ3-アミノ-2-置換-1-ブタノール誘導体を塩基の存在下でエポキシ化することにより式(3)の光学活性エリスロ3-アミノ-1,2-エポキシ体を製造する。【化1】(式中R1は、炭素数3〜12の炭化水素残基、R2はアミノ基または保護されたアミノ基、*3の立体配置がS配置の時、*2の立体配置はS配置、*3の立体配置がR配置の時、*2の立体配置はR配置を示す。)
請求項(抜粋):
式(1)【化1】(式中のR1は炭素数3〜12の炭化水素残基R2はアミノ基または保護されたアミノ基、R3は炭素数1〜12の炭化水素残基、R4はエステル残基、*3の立体配置がS配置の時、*2の立体配置はR配置、*3の配置がRの時、*2の配置はS配置を示す。)で表わされる光学活性スレオ-3-アミノ-2-置換酪酸エステル誘導体を還元し、次いで得られる式(2)【化2】(式中のR1、R2、*2、*3は前記と同じ意味を示す。)で表わされる光学活性スレオ-3-アミノ-2-置換-1-ブタノール誘導体を塩基の存在下でエポキシ化することを特徴とする式(3)【化3】(式中のR1、R2は前記と同じ意味を示す。)*3の立体配置がS配置の時、*2の立体配置はS配置、*3の配置がRの時、*2の配置はR配置を示す。)で表される光学活性エリスロ-3-アミノ-1,2-エポキシ体の製造法。
IPC (6件):
C07D301/02 ,  C07B 53/00 ,  C07C309/65 ,  C07C309/73 ,  C07D303/36 ,  C07M 7:00

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